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Electrónica
Nuevo Método Para Fabricar Transistores Más
Pequeños
22 de
Mayo de 2009.
 Unos
investigadores de la Universidad de Illinois han encontrado una nueva
manera de hacer transistores más pequeños. La técnica utiliza el
autoensamblaje, la autoalineación y canales de nanocables hechos de
arseniuro de galio y libres de defectos.
 Menéame
Xiuling Li y Seth Fortuna describen el primer transistor de Efecto
Campo de metal-semiconductor fabricado con un canal de nanocables de
arseniuro de galio autoensamblado.
Los nanocables son atractivos bloques de construcción para la
electrónica y para muchas aplicaciones de la fotónica. Sin embargo,
antes de su implantación industrial primero deben superarse varias
dificultades, incluyendo la integración con la microelectrónica
existente.
El nuevo proceso de crecimiento crea nanocables de arseniuro de galio,
autoalineados y sin defectos, que podrían muy pronto ser fabricados a
escala industrial. Es un proceso no litográfico que puede controlar con
precisión la dimensión y orientación de los nanocables, siendo
compatible con el diseño de la circuitería existente y con las
tecnologías de fabricación de ésta.
El canal de nanocables de arseniuro de galio utilizado por los
investigadores en su transistor de demostración se hizo crecer mediante
una deposición química especial de vapor, usando oro como catalizador.
El resto del transistor fue hecho con técnicas convencionales de
microfabricación.
Estando el diámetro del canal de nanocables del transistor en torno a
los 200 nanómetros, con la técnica de crecimiento que usa el catalizador
de oro es posible fabricar nanocables con diámetros tan pequeños como 5
nanómetros. La orientación autoalineada de los nanocables está
determinada por la estructura del cristal del substrato y ciertos
parámetros de crecimiento.
Los nanocables de alta calidad también pueden usarse en las
comunicaciones ópticas mediante láser.
Información adicional en:
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