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Electrónica
Transistor de Alta Eficiencia Hecho de Nitruro de
Galio
20 de Enero
de 2010.
 En
la Universidad Cornell han fabricado un transistor sumamente eficiente
hecho de un material que pronto podría reemplazar al silicio como el rey
de los semiconductores para las aplicaciones que requieren una alta
potencia.
Junxia Shi, especialista en el laboratorio de Lester Eastman, ha
desarrollado el dispositivo basado en el nitruro de galio que podría
formar la base para la circuitería en productos que van desde los
ordenadores portátiles hasta los vehículos híbridos, pasando por muchos
otros sistemas electrónicos de alta potencia.
La resistencia a la corriente eléctrica del nuevo transistor es de 10 a
20 veces más baja que la de los actuales dispositivos de alta potencia
basados en el silicio. También tiene un alto valor en el parámetro de
cuánto voltaje puede aplicarse a un material antes de que falle.
La clave del dispositivo es la baja resistencia eléctrica del nitruro de
galio, lo que produce menos pérdida de potencia por calentamiento, y su
capacidad de manejar hasta 3 millones de voltios por centímetro sin que
se produzca un fallo eléctrico. El silicio, el material competidor,
soporta sólo unos 250.000 voltios por centímetro.
Los transistores, que fueron hechos con el equipamiento de
nanofabricación de la Universidad Cornell, puede que un día energicen de
todo, desde vehículos eléctricos híbridos a barcos. De hecho, la Armada
Estadounidense ya financió hace más de diez años la investigación de la
Universidad Cornell sobre los transistores de nitruro de galio, y
actualmente aporta una parte importante de la financiación para la nueva
investigación del laboratorio de Lester Eastman.
Shi y Eastman tienen una patente provisional para su dispositivo. Las
empresas Velox y Freescale (establecida ésta última por Motorola),
también han ayudado a financiar la investigación, con la esperanza de
producir los dispositivos a escala industrial.
Información adicional en:
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