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Electrónica
El
Transistor Más Rápido
11 de Noviembre de 2003.
Investigadores
de la University of Illinois en Urbana-Champaign han roto su propio
récord de velocidad con un nuevo transistor, que es también el más
rápido del mundo. Con una frecuencia de 509 GHz, es 57 GHz más rápido
que el anterior. Podría ser utilizado en aplicaciones como las
comunicaciones de alta velocidad, la electrónica de consumo, o los
sistemas militares.
El dispositivo ha sido diseñado y desarrollado por un grupo encabezado
por Milton Feng, profesor de ingeniería eléctrica e informática. Él y
sus alumnos Walid Hafez y Jie-Wei Lai, en el Micro and Nanotechnology
Laboratory, trabajan desde hace tiempo en este campo tan competitivo.
A diferencia de los transistores tradicionales, que se fabrican a partir
de silicio y germanio, los de la universidad de Illinois utilizan
materiales más exóticos, como el indio y sus compuestos, inherentemente
más rápidos que los anteriores y capaces de una densidad de corriente
mucho más alta. Además, haciendo los componentes más pequeños, el
transistor puede cargarse y descargarse más rápidamente, mejorando de
forma significativa la velocidad.
Durante este año, los récords han caído como piezas de dominó en el
campus de la universidad de Illinois. El grupo de Feng anunció en enero
un transistor con un colector de 150 nanómetros que operaba a una
frecuencia de 382 GHz. En mayo, se informó sobre un transistor de 452
GHz con un colector de 100 nanómetros. La reducción del tamaño de este
último hasta los 75 nanómetros ha permitido alcanzar los actuales 509
GHz.
Los ingenieros electrónicos creen que estos transistores permitirán
crear ordenadores y videojuegos más rápidos. Los sistemas de
comunicaciones inalámbricos serán más flexibles y seguros, y se podrán
realizar conversiones analógico/digitales más veloces, para su uso en
sistemas de radar y de combate electrónico.
Feng cree que aún son posibles futuros incrementos de velocidad. Su
objetivo principal es obtener un transistor que trabaje en la frecuencia
de 1 THz.
Información adicional en:
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