|
Home / Ultimas Noticias
Archivo Noticias de la Ciencia y la
Tecnología.
Archivo Noticias del Espacio
Contacto
Suscripciones (público/email)
Boletín Noticias de la Ciencia y la
Tecnología
Boletín Noticias del Espacio
Boletín Noticias de la Ciencia y la
Tecnología Plus
Suscripciones (servicios a
medios)
Reproducción de contenidos en medios
comerciales
|
Recuerda:
suscríbete a nuestros boletines gratuitos y recibe cómoda y
semanalmente las noticias en tu dirección electrónica.
Ingeniería
Nueva Era de la Electrónica Espacial Gracias a la
Tecnología de Silicio-Germanio
5 de
Enero
de 2011.
 Un
proyecto quinquenal dirigido desde el Instituto Tecnológico de Georgia
ha desarrollado un nuevo enfoque para la electrónica espacial que podría
cambiar el modo en que son diseñados los vehículos y los instrumentos
espaciales.
Las nuevas capacidades aportadas por este enfoque innovador están
basadas en la tecnología del silicio-germanio (SiGe), y permiten
producir dispositivos electrónicos muy resistentes tanto a amplias
variaciones de temperatura como a la radiación espacial.
El proyecto, con un costo de 12 millones de dólares y una duración de 63
meses, fue financiado por la NASA. Además del Tecnológico de Georgia, el
equipo de 11 miembros incluyó académicos de las universidades de
Arkansas, Auburn, Maryland, Tennessee y Vanderbilt. También han
intervenido en el proyecto BAE Systems, Boeing Co., IBM Corp., Lynguent
Inc. y el Laboratorio de Propulsión a Chorro (JPL) de la NASA.
La tarea del equipo ha sido desarrollar para la NASA una infraestructura
probada, incluyendo todo lo necesario para el diseño y la construcción
de dispositivos electrónicos capaces de funcionar en los ambientes
extremos de las misiones espaciales.
John Cressler del Tecnológico de Georgia ha sido el investigador
principal y jefe del equipo.
Las aleaciones SiGe combinan a escala nanométrica el silicio, el
material más común de los microchips, con el germanio. El resultado es
un material recio que ofrece ventajas importantes en cuanto a
resistencia, velocidad y flexibilidad.
Esa robustez es crucial para la capacidad del silicio-germanio de
funcionar en el espacio sin voluminosos escudos contra la radiación o
dispositivos de control de temperatura que suelen consumir mucha
energía. Comparada con los enfoques convencionales, la electrónica SiGe
puede proporcionar importantes reducciones en peso, tamaño, complejidad,
consumo de energía y costo, así como incrementar la fiabilidad y la
adaptabilidad.
El método tradicional para proteger la electrónica espacial,
desarrollado en los años sesenta, se basa en usar voluminosas cajas
metálicas que protegen a dispositivos electrónicos más o menos
convencionales de la radiación y las temperaturas extremas.
En el mejor de los casos, la mayoría de los componentes electrónicos
cuenta con las especificaciones típicas de la electrónica militar, lo
que significa que funcionan en un rango de temperaturas que abarca desde
los 55 grados centígrados bajo cero hasta los 125 sobre cero. Sin
embargo, la electrónica enviada más allá de la órbita terrestre se
expone a temperaturas mucho más extremas, así como a más radiaciones
perjudiciales. Sin ir más lejos, los ciclos de temperatura en la
superficie de la Luna varían entre 120 grados centígrados durante la
fase más álgida del día lunar, hasta 180 bajo cero en plena noche.
La electrónica de silicio-germanio desarrollada por el equipo de
Cressler ha demostrado que funciona fiablemente en todo el rango de
temperaturas, desde 120 grados centígrados hasta 180 bajo cero. También
es muy resistente o incluso inmune a varios tipos de radiación.
Información adicional en:
|
|
|
La traducción, la
adaptación y la elaboración de texto adicional de este artículo han sido
realizadas por el equipo de NC&T (Amazings.com)
Copyright © 1996-2011 Amazings.com. All Rights Reserved.
Depósito Legal B-47398-2009,
ISSN 2013-6714
Todos
los textos y gráficos son propiedad de sus autores. Prohibida la
reproducción total o parcial por cualquier medio sin consentimiento
previo por escrito.
Logos originales por Gloria García Cuadrado y Daniel González Alonso, 1998 |
