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Física
Nuevas Pistas Sobre el Mecanismo
de la "Resistencia Colosal"
1 de
Octubre de 2007.
 Unos
experimentos en el Laboratorio Nacional de Brookhaven aportan algunos
datos esclarecedores sobre la capacidad de algunos materiales de cambiar
drásticamente su resistencia eléctrica en presencia de campos eléctricos
o magnéticos externos.
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Los pequeños cambios en la resistencia subyacen en el funcionamiento de
muchos dispositivos electrónicos, incluyendo algunos sistemas de
almacenamiento de datos para los ordenadores. Entender y poder aplicar
cambios drásticos en la resistencia, un efecto conocido como
Magnetorresistencia Colosal, ofrece magníficas oportunidades para el
desarrollo de nuevas tecnologías, incluyendo dispositivos de
almacenamiento de datos con incrementos sustanciales en su densidad de
datos y reducción en sus requisitos de energía.
Los científicos del Brookhaven estaban estudiando unas manganitas
especiales que habían dopado con portadores de carga extra, es decir
electrones o "huecos" (ausencia de electrones), aplicando varias
técnicas innovadoras de microscopía electrónica. En un experimento sin
precedentes, los científicos usaron un microscopio de efecto túnel, que
se construyó dentro de un microscopio electrónico, para aplicar un
estímulo eléctrico a la muestra mientras se observaba su respuesta en el
ámbito atómico.
Al utilizar esta técnica los científicos obtuvieron, por primera vez,
evidencia directa de que un pequeño estímulo eléctrico puede
distorsionar la forma de la red cristalina y producir también cambios en
la forma en que las cargas viajan a través de la red.
Los efectos de la resistencia colosal podrían aprovecharse para
conseguir una miniaturización de circuitos eléctricos, operando con un
más bajo consumo de energía. Por consiguiente, este trabajo tiene un
impacto directo en la aplicación de estos materiales para desarrollar
nuevos dispositivos electrónicos, y también espintrónicos (dispositivos
que emplean una combinación del espín del electrón y las cargas). Tales
dispositivos incluyen nuevas formas de memorias no volátiles para
computadoras (memorias que pueden retener la información almacenada
incluso cuando no reciben energía) como la memoria RRAM.
Esta investigación se realizó en colaboración con Christian Jooss,
científico visitante en el Brookhaven, y colegas de la Universidad de
Gotinga, en Alemania.
Información adicional en:
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